Son cada vez más utilizadas en smartphones, tabletas y otros dispositivos
El fabricante de electrónica nipón Toshiba anunció que invertirá 360.000 millones de yenes (unos 2.860 millones de euros) hasta 2018-2019 en una planta japonesa destinada a la producción de memorias flash de última generación.
Según explicó la empresa tokiota en un comunicado, la inversión se realizará en las instalaciones que posee en Yokaichi, en la prefectura de Mie (oeste de Japón), donde para septiembre de este año espera haber levantado una segunda nave destinada a la fabricación de memorias Flash de tipo 3D NAND.
La empresa nipona detalló también en el texto que espera «continuar cooperando» con la estadounidense SanDisk, con la que opera conjuntamente las instalaciones existentes en Yokaichi, lo que apunta a que la empresa californiana podría aportar capital extra a esta operación.
Estos planes de inversión han sido aprobados en la junta directiva celebrada en la sede tokiota de Toshiba, que se encuentra inmersa en un proceso de reestructuración tras el escándalo contable en el que se ha visto envuelta recientemente.
La apuesta por las llamadas memorias 3D NAND, con mayor capacidad que las convencionales y utilizadas cada vez más en smartphones, tabletas y otros dispositivos, está incluida en las medidas para virar el rumbo corporativo.
En febrero del año pasado se destapó que la empresa cometió un grave fraude contable por el que sobrestimó entre 2007 y 2014 sus ingresos por ventas en unos 230.600 millones de yenes (unos 1.833 millones de euros), según los últimos cálculos. (EFE)
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